我想炫耀 EUV光刻耗电，被妖怪化了？

（原标题：EUV光刻耗电我想炫耀，被妖怪化了？）

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凭据台积电最新的永续论述书清醒，台积电去年动力总花消量为224亿度，较去年的192亿度加多16.66%，达积年新高，其中，电力占达188.9亿度、年增15%，再改进高，并达动力总花消量的84.3%，再纯真力电力约占21.9亿度、仅9.7%。

其中，先进制程所接管的EUV成为耗电大户，针对这少量，ASML干系媒体作念了澄澈，「咱们不是吃电怪兽。」

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三事理还EUV白净

ASML提供的府上与后继访谈，大概不错归纳出三个事理。

第一，台积电用电暴增不可全怪EUV。

台电预测本年半导体业新增用电为640MW（百万瓦），主要来自台积新增产能。其中有几许来自EUV？

业界指出，为了行将量产的2纳米制程，台积今、明两年整个进货70台EUV。一台最新规格的EUV耗电1.2MW，即便70台王人在本年上阵，也仅格外于本年新增用电的13%。

「大众错怪了EUV，」曾任职联发科、元太的资深科技东说念主李政锋说。他觉得EUV机台外接水冷系统、正派净度无尘室的保管，也可能是台积先进制程更耗电的原因。

他正主导一个以好意思国麻省理工学院台湾学友为主的「Power Taiwan」权术，为台湾用电逆境建议建议。

第二，不必EUV，用电依旧会加多。

凭据ASML提供的府上，现在的EUV机种，耗电是传统浸润式微影机台的7倍。但果然参预坐蓐，两者差距就没这样大。怎么说？

因为传统机台已难因应7纳米以下的先进制程。若坚执不必EUV（或像中国企业一样买不到），硬要作念，就得用多重曝光花式，将一个图案分拆成3次致使4次制作，以减少光学绕射侵犯。一般觉得中国大陆的7纳米芯片，即是用这克难花式作念出。

如斯一来，曝光次数就会大增，用电量也随之倍增。因此整个制程结算起来，EUV与传统微影的总耗电差距，可能剩下2、3倍。解析度更高的次世代高数值孔径（High NA）EUV，改日也将表示访佛作用。

追究该家具的ASML副总裁史东斯（Greet Storms）便示意，预测到2028年High NA机种上阵后，可裁减复杂度，一派晶圆可省下200度的电。因此即便每台订价是马尘不及的上百亿台币，亦然「合算的有计算」。

第三个事理，EUV被妖怪化了。

ASML在2023年底的IEDM讨论会发表论文，首度揭露EUV的能耗细节，告诉大众EUV着实是最耗电的制程技能，但似乎莫得大众思象的那么夸张。

该公司谋略出整个产业制作出一派晶圆的平均耗电，在2023年达到超过800度电，这数字约是10年前的2倍。其中微影（主如果EUV）就吃了近300度，约莫占三分之一强。而蚀刻、平坦化（CMP）以及也很耗电的离子植入等制程，仍占另外的三分之二用电。

这数字令东说念主骇怪，「这跟一般融会不大一样，」一位前应材高阶诈骗看了之后示意。

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业界为何戒慎懦弱？

若从另一角度来看，较能领会为何业界关于EUV如斯戒慎懦弱。

它天然「只占」三分之一，但往日微影制程的耗电基本上微不及说念，直到业界在2019年进入7纳米制程，台积、三星运转导入EUV，整个制程形同在短短几年内加多三分之一用电。

微影制程，指的所以特别色泽对涂在晶圆上的光阻剂「曝光」。为什么当光源从传统波长193纳米的氟化氩雷射，换成波长13.5纳米的极紫外光时，作念相似事，能耗却暴增？

该篇论文剖析原因，传统微影制程，是将雷射光经过一连串的玻璃透镜折射到晶圆上。但EUV因为波长太短，会被玻璃十足经受，只可改用反射镜。

ASML供应商蔡司拓荒出以100层钼与硅轮换叠出的超光滑反射镜，每层王人唯一几纳米厚。

其实，EUV机台运作历程，险些像一部科幻电影。EUV光束的产生，来自雷射以每秒5万次频率，精准轰击无数颗极微小的液态锡滴，锡滴气化时生成EUV色泽，透过一个直径65公分的椭圆镜反射，送进微影机台。

接下来有个辣手问题，气化的锡会千里积在反射镜上，让整个系统无法运作。责罚次序也很科幻——在椭圆镜左近注入精深氢气，氢原子会与锡原子结合，造成气态的氢化锡，就不会在镜子上千里积。

光是这历程就占了整个系统20%的能耗。

看到这里未免惊羡，EUV着实处处挑战现代科技极限，也出现高能耗的后遗症。东说念主们咋舌其工艺之余，也放大对其耗电的懦弱。让「吃电」的EUV，成了「吃电怪兽」。

https://www.nytimes.com/2024/10/01/us/politics/biden-semiconductor-environmental-review.html

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